时间：2025/5/24 14:09:54
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IRL100HS121 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。这款器件采用 TO-263 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该芯片具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于需要高效能转换的电路设计。
IRL100HS121 的主要特点是其较低的 Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，它支持高达 50V 的漏源极电压，能够承受较大的瞬态电压冲击。由于其栅极阈值电压较低，可以直接由微控制器或逻辑电路驱动，无需额外的驱动级。
最大漏源极电压：50V
最大漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：1950pF
总功耗：32W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功率损耗。
2. 高效的热性能，能够适应严苛的工作环境。
3. 支持逻辑电平驱动，简化了电路设计并降低了成本。
4. 快速开关能力，适合高频应用场合。
5. 提供出色的可靠性和耐用性，适用于工业及汽车领域。
6. 具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关管或续流二极管替代品。
3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
IRLZ44N, SI4426DY, FDP5500NL
