时间：2025/12/29 14:54:50
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FDMC0202S 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的高性能、双N沟道增强型功率MOSFET芯片。该器件采用先进的PowerTrench?技术制造，具有低导通电阻和卓越的热性能，适用于高效率的功率转换应用。FDMC0202S通常采用8引脚SOIC封装，适合用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器等应用场合。
类型：双N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：8-SOIC
FDMC0202S采用飞兆半导体的PowerTrench?技术，这项技术通过优化沟槽结构来降低导通电阻，从而提高器件的导电效率并减少功率损耗。该器件的双N沟道结构使其能够在一个封装中提供两个独立的MOSFET通道，非常适合用于多相电源或需要双路控制的应用。每个通道的导通电阻仅为18mΩ，使得FDMC0202S在高电流条件下也能保持较低的导通损耗，提升系统效率。
此外，FDMC0202S具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其8引脚SOIC封装不仅节省空间，而且具有较好的散热性能，适用于高密度PCB布局。该器件的栅极驱动电压范围为4.5V至12V，兼容常见的逻辑驱动电路，便于集成到各种控制电路中。
该MOSFET还具备快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗，适用于高性能DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。同时，FDMC0202S内置的ESD保护电路增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
FDMC0202S广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及工业控制系统等领域。其高效率和小尺寸特性使其成为现代高集成度电子系统中的理想选择。
FDMC0202S的替代型号包括FDMS0202S、FDMC0203S、Si3442DV、AO4406、IRF7404等。
