时间：2025/8/27 17:45:26
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IXC127WJN5Q 是一款由 IXYS 公司制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件设计用于高功率应用，例如电源转换、电机控制以及工业自动化系统。其封装形式为表面贴装（SMD），适合需要高效率和紧凑布局的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A（最大）
漏极-源极电压（VDS）：100V（最大）
栅极-源极电压（VGS）：±20V（最大）
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散：320W（最大）
IXC127WJN5Q 具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流处理能力和优异的热性能。此外，其高耐压能力使其适用于各种高压电源应用。该MOSFET的封装设计支持良好的散热性能，从而延长器件在高负载条件下的使用寿命。此外，它还具备较高的雪崩能量耐受能力，以应对突发的电压冲击。其表面贴装封装也简化了PCB布局并提高了自动化生产的效率。
该MOSFET还具有快速开关特性，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，其坚固的结构设计提供了良好的抗浪涌电流能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。这些特性使得IXC127WJN5Q成为工业、汽车和消费类电子设备中高可靠性功率管理应用的理想选择。
IXC127WJN5Q 主要应用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及电池管理系统。此外，它还可用于工业自动化设备、电动工具、电动车充电系统以及各种需要高效能功率开关的场合。由于其优异的热管理和高频响应能力，该器件也适用于音频放大器和功率因数校正（PFC）电路。
IXFN120N10T, IXYS120N10T2, IRFP4468PBF, APT120N10B2LL
