晶体管类型：NPN 双晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110 到 800（根据工作电流）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

BAS19 IC 的主要特性之一是其双晶体管阵列设计，可在单个封装中提供两个独立的 NPN 晶体管，极大地节省了 PCB 空间，非常适合高密度电路设计。
　　每个晶体管具有较高的电流增益（hFE），通常在 110 到 800 范围内，确保在不同电流条件下都能提供稳定的放大性能。
　　该器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，有助于降低功耗并提高开关效率。
　　BAS19 的频率响应可达 100MHz，使其适用于中高频放大电路和高速开关应用。
　　此外，它具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在各种环境条件下稳定运行。
　　由于其采用 SOT-23 封装，BAS19 在自动化生产和表面贴装工艺中具有很高的兼容性和可靠性。

BAS19 广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统中。
　　常见的用途包括数字电路中的逻辑电平转换、信号放大器、功率开关、LED 驱动电路以及继电器控制等。
　　在通信领域，BAS19 常用于射频（RF）前端模块中的信号放大或调制电路，其高频特性能够满足低噪声放大需求。
　　此外，该器件也常用于电源管理系统中的电流检测和调节电路，因其高稳定性和响应速度而受到青睐。
　　在汽车电子方面，BAS19 被广泛用于车载娱乐系统、仪表盘控制电路以及车载充电器中的开关和调节功能。

BC847系列, MMBT3904, BC817, 2N3904