时间：2025/8/2 6:49:38
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FDMA910PZ 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和负载开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等优点。FDMA910PZ 采用先进的 PowerTrench? 技术，以实现更小的导通损耗和更高的开关性能。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-9.1A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（最大值，VGS = -10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：40W
FDMA910PZ 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在负载开关和 DC-DC 转换器等应用中具有出色的性能表现。该器件采用 PowerTrench? 技术，使得沟道电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，FDMA910PZ 的 TO-220 封装具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
在热管理方面，FDMA910PZ 的高热阻特性确保其在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 还具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在瞬态条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（-20V 至 +20V），适用于多种控制电路设计。
FDMA910PZ 的设计还考虑了高频开关应用的需求，具有较低的输入电容和开关损耗，有助于提高整体系统的效率。该器件的高可靠性使其适用于工业控制、汽车电子和电源管理系统等对性能要求较高的场合。
FDMA910PZ 主要用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制电路。该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
FDMA910PZ 的替代型号包括 FDD8898 和 IRF9Z34N。这些型号在电气特性和封装形式上具有相似性，适用于相同类型的应用场景。在进行替代时，需根据具体电路设计和性能需求进行评估。
