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GA1210A391JBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 22:37:21 查看 阅读:15

GA1210A391JBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该芯片属于沟道型MOSFET,设计用于高频应用环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vds):120V
  连续漏极电流(Id):39A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):48nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A391JBLAT31G 采用了最新的半导体技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少功率损耗。
  2. 高效的开关性能,支持高频操作,适合现代高效能电力电子设备。
  3. 较大的漏极电流承载能力,确保在高负载条件下稳定运行。
  4. 强大的散热能力和高温稳定性,适应恶劣的工作环境。
  5. 具备优异的电气特性和长期可靠性,满足工业级及汽车级应用需求。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC转换器,提供高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动和控制电路,适用于各种类型的电机。
  4. 逆变器和不间断电源系统 (UPS) 中的关键组件。
  5. 工业自动化设备和新能源系统中的功率管理模块。

替代型号

GA1210A361JBLAT31G, IRF7739TRPBF, FDP16N12Z

GA1210A391JBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-