类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：400V
　　最大栅源电压(Vgs)：±25V
　　最大漏极电流(Id)：2.5A
　　导通电阻(Rds(on))：约1.8Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-3金属封装

3N187A 是一款具有较高性能的N沟道MOSFET器件，其核心特性之一是其高达400V的漏源击穿电压（Vds），这使得它非常适合用于高电压开关和功率放大电路。该器件的最大漏极电流为2.5A，足以满足中等功率应用的需求。其导通电阻（Rds(on)）约为1.8Ω，在同类器件中属于较低水平，有助于降低功率损耗并提高效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±25V，具有良好的栅极保护能力。
　　3N187A 采用TO-3金属封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和长期可靠性。其最大功耗为75W，能够在较高温度环境下稳定运行。器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，适应性广泛，适用于各种工业和军用环境。
　　在开关应用中，3N187A 的响应速度快，开关损耗较低，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。而在放大电路中，其线性特性良好，适合用于音频功率放大器或其他线性功率控制电路。此外，该器件具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境中可靠工作。

3N187A 主要用于需要中等功率处理能力的电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、功率放大器、稳压电源和电池充电器等。在音频设备中，该器件可用于后级功率放大电路，提供良好的音质输出。此外，它还可用于工业自动化控制中的功率开关，如继电器驱动、电磁阀控制等场景。在电源管理系统中，3N187A 能够作为主开关元件用于电压调节和负载切换。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，该器件也常用于需要长时间运行的高可靠性设备中，如测试仪器、不间断电源（UPS）系统以及各种工业控制模块。

2N6756, IRF830, BUZ41A