时间：2025/7/9 12:37:58
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FDMA7670是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于需要高效开关性能和低导通电阻的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的栅极电荷和快速的开关速度，适合高频功率转换应用。
FDMA7670主要设计用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其出色的热特性和稳健的设计使其能够在高电流和高电压环境下稳定运行。
型号：FDMA7670
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：48A
Qg（总栅极电荷）：25nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：2V~4V
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃~175℃
FDMA7670具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），使其非常适合高频应用。
3. 高电流承载能力（高达48A），能够满足大功率需求。
4. 稳健的短路耐受能力，提高了系统可靠性。
5. 良好的热性能，便于散热设计。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃到175℃），适应各种恶劣环境。
FDMA7670适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 电源管理：如AC-DC适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器：在降压或升压电路中作为开关元件。
3. 电机驱动：用于控制小型直流电机或无刷直流电机。
4. 负载开关：在便携式设备中实现快速高效的负载切换。
5. 电池保护电路：防止过流或短路等情况。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP5500
