STD3NK60Z 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于电源转换器、电机控制、照明系统和各种工业自动化设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):3.3A
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):27nC
功率耗散(Ptot):40W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
STD3NK60Z 的主要特性包括高电压和高电流能力,能够在恶劣的电气环境中稳定工作。该器件采用了先进的平面条纹和制造工艺,提高了导通性能和热效率。此外,它还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性,从而提高了系统的可靠性和寿命。该MOSFET的封装设计有助于散热,使得在高功率应用中也能保持较低的工作温度。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了驱动电路的设计。
此外,STD3NK60Z 还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,减少了开关损耗,提高了整体效率。由于其高稳定性和耐用性,该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及工业控制系统中。
该MOSFET常用于以下领域:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明系统(如电子镇流器)、工业自动化设备以及各种需要高耐压和高可靠性的功率电子系统。
STD4NK60Z, STD3NK65Z, IRF840, FQA3N60C