时间：2025/7/22 5:20:51
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STD3NK60Z 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机控制、照明系统和各种工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：3.3A
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：27nC
功率耗散（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
STD3NK60Z 的主要特性包括高电压和高电流能力，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。该器件采用了先进的平面条纹和制造工艺，提高了导通性能和热效率。此外，它还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，从而提高了系统的可靠性和寿命。该MOSFET的封装设计有助于散热，使得在高功率应用中也能保持较低的工作温度。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计。
此外，STD3NK60Z 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少了开关损耗，提高了整体效率。由于其高稳定性和耐用性，该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及工业控制系统中。
该MOSFET常用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明系统（如电子镇流器）、工业自动化设备以及各种需要高耐压和高可靠性的功率电子系统。
STD4NK60Z, STD3NK65Z, IRF840, FQA3N60C
