FDMA3027PZ 时间：2025/8/2 7:21:44 阅读：35

FDMA3027PZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。FDMA3027PZ 通常封装于PowerPAK? 3x3封装中，适用于空间受限的高密度设计。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(Id)：11A
　　RDS(on)：最大20mΩ（在VGS=4.5V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK? 3x3
　　功率耗散(PD)：3.3W

特性

FDMA3027PZ MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了效率。其低RDS(on)特性在高电流应用中尤为重要，有助于减小发热并提高整体系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，在高温环境下依然保持良好的性能。
　　FDMA3027PZ 的栅极驱动电压范围较宽，能够在4.5V至10V之间正常工作，这使得它兼容多种驱动电路，包括由微控制器或逻辑IC控制的栅极驱动电路。其栅极阈值电压较低，确保在较低的控制电压下也能可靠导通。
　　该器件的封装采用PowerPAK? 3x3技术，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能，适用于空间受限但需要高功率输出的应用。其工作温度范围宽广，适合在恶劣环境中使用。
　　FDMA3027PZ 的可靠性高，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的功率管理应用。

应用

FDMA3027PZ 广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、服务器电源、通信设备以及汽车电子系统等。其高效率和低导通电阻特性使其成为同步整流器、负载开关和高效率电源转换器的理想选择。
　　在电源管理应用中，FDMA3027PZ 可用于多相电源设计、热插拔电源控制以及负载切换等场景。在汽车电子系统中，它可用于车载充电系统、DC-DC转换器和电动助力转向系统等。此外，该器件还可用于工业自动化设备、机器人系统和高性能计算设备中的电源管理模块。