HY62256BLP-70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为32K x 8位,即总共256K位的存储容量,属于高速低功耗CMOS SRAM,广泛应用于需要快速数据访问的电子设备中。HY62256BLP-70采用塑料双列直插式封装(PDIP),适合工业级和商业级应用。
容量:32K x 8位
电压:5V
访问时间:70ns
封装类型:PDIP
引脚数:28
工作温度范围:0°C至70°C(商业级)或-40°C至85°C(工业级)
数据保持电压:2V
输入/输出电平:TTL兼容
最大工作电流:约150mA(典型值)
HY62256BLP-70 是一款高性能CMOS静态随机存储器,具有快速访问时间和低功耗的特点。其访问时间仅为70纳秒(ns),意味着它能够在非常短的时间内完成数据的读写操作,非常适合需要高速数据处理的应用场景。
该芯片的工作电压为标准5V,具备良好的电源兼容性,同时在待机模式下的数据保持电压可低至2V,从而在低功耗状态下仍能保持数据不丢失。这种特性使得HY62256BLP-70在断电或低功耗模式下仍能维持数据的完整性。
此外,HY62256BLP-70采用28引脚的塑料双列直插式封装(PDIP),方便在各种印刷电路板(PCB)上安装和使用。它的工作温度范围包括商业级(0°C至70°C)和工业级(-40°C至85°C),适用于多种环境条件。
芯片的输入/输出信号电平兼容TTL标准,能够直接与多种微处理器和控制器连接,简化了系统设计。典型的工作电流约为150mA,这在同类SRAM芯片中属于较低功耗水平,有助于降低整体系统的能耗。
HY62256BLP-70 由于其高速访问时间和低功耗特性,被广泛应用于多个领域。例如,在工业控制设备中,它可以作为临时数据存储器,用于存储程序运行时的关键数据。在通信设备中,该芯片可用于缓存数据,提高数据传输效率。
在嵌入式系统中,HY62256BLP-70 常用于作为外部存储器,扩展微控制器的内存容量,从而提升系统的处理能力。此外,在测试与测量设备中,这款SRAM芯片可以用于高速数据采集和缓冲,确保测量结果的准确性和实时性。
消费类电子产品如打印机、扫描仪和显示设备也可能使用HY62256BLP-70,以提高设备的响应速度和数据处理能力。同时,由于其工业级温度范围,该芯片也适用于一些环境较为恶劣的应用场景,如自动化生产线控制和智能仪表等。
总之,HY62256BLP-70 的高可靠性和广泛的适用性使其成为众多需要高速、低功耗存储解决方案的设计者的首选。
IS62C256AL-70NLI, CY62257EWI-70ZS, IDT71256SA70PFG, MB84256A-70LFP-G-BND