时间：2025/5/28 12:13:04
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RD3P130SPFRATL 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，基于先进的半导体技术制造。该芯片广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中，例如电源管理、电机驱动、逆变器和负载开关等应用。其优化的封装设计和低导通电阻特性使其在高电流密度和高效率应用中表现出色。
型号：RD3P130SPFRATL
品牌：Vishay
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压 (Vds)：60 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
连续漏极电流 (Id)：47 A
导通电阻 (Rds(on))：1.3 mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总功耗 (Ptot)：85 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
RD3P130SPFRATL 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 47A 的连续漏极电流。
3. 优异的热性能，适合长时间高温运行的应用环境。
4. 快速开关速度，减少开关损耗，并适用于高频应用。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保要求。
6. 高可靠性设计，提供卓越的电气性能和长寿命表现。
7. 小型化封装（如 TO-252），便于印刷电路板布局和空间优化。
这些特性使得 RD3P130SPFRATL 成为许多功率敏感型应用的理想选择。
RD3P130SPFRATL 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机控制。
3. 逆变器设计，用于太阳能发电系统或不间断电源 (UPS)。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车 (EV) 或混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
凭借其高性能和灵活性，RD3P130SPFRATL 可以满足各种复杂应用场景的需求。
RD3P130SPFRHT1, IRF3205, FDP16N60C
