时间：2025/5/9 9:53:20
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FDG6321C 是一款高性能的 P 沟道增强型绝缘栅场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和负载切换等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，能够在高频开关电路中提供高效的性能。
FDG6321C 的设计使其非常适合在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中使用，特别是在需要高效能与高可靠性的场景下。
最大漏源电压：-40V
连续漏极电流：-3.8A
导通电阻：95mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
FDG6321C 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保了较低的功率损耗，从而提高了整体效率。
2. 快速的开关速度能够减少开关损耗，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性使它能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计。
5. 高耐压能力使得该器件适用于多种电压等级的应用场景。
FDG6321C 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的负载开关。
2. 电池保护电路中的过流保护。
3. 汽车电子系统中的电源管理。
4. 工业设备中的信号切换。
5. 消费类电子产品中的小型化电路设计。
FDG6321P, SI2301DS, AO3401A
