4SW180M 时间：2025/9/8 13:29:11 阅读：6

4SW180M 是一款由 IXYS 公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专门用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。该模块封装为高性能的双列直插式封装（DIP），具有良好的散热性能，适用于工业控制、电机驱动、电源转换和新能源系统等应用。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：1800V
　　最大连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.0Ω（根据具体条件）
　　栅极电荷（Qg）：具体值因条件而异，典型值在几十nC范围内
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：DIP（双列直插式封装）

特性

4SW180M 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达1800V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于高压系统，如变频器、逆变器和工业电源。其次，该模块采用先进的沟槽式MOSFET技术，降低了导通损耗，提高了能效。此外，该器件具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率。4SW180M 的封装设计优化了热性能，确保在高功率密度下仍能保持稳定运行。它还具备良好的抗短路能力和高温稳定性，增强了系统的可靠性和寿命。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高效率的工业自动化和电力电子设备。

应用

4SW180M 主要应用于高电压、高功率的开关系统中。典型应用包括工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备以及高功率DC/DC转换器。由于其高耐压能力和良好的热稳定性，它也适用于需要长期稳定运行的工业自动化控制系统。此外，4SW180M 还可用于高压照明系统、电能质量调节设备和电力电子测试设备。