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FDG6318PZ 发布时间 时间:2025/5/15 11:24:08 查看 阅读:16

FDG6318PZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性,非常适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该器件主要针对便携式电子设备、工业自动化、通信基础设施等领域设计,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  总栅极电荷:37nC
  输入电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

FDG6318PZ 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提升系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,适用于对动态响应要求较高的应用。
  3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色设计需求。
  5. 小型封装选项,节省 PCB 空间,便于实现紧凑型设计。
  6. 提供全面的静电放电保护功能,以确保器件在实际使用中的稳定性。

应用

FDG6318PZ 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统 (BMS),如电动车和储能设备中的电池保护电路。
  3. 各种电机驱动应用,例如无人机、家用电器和工业自动化设备。
  4. 电信基础设施中的负载开关和功率分配。
  5. 便携式电子设备中的高效功率管理模块。

替代型号

IRF6318PBF, AO6318PZ

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FDG6318PZ参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C780 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.62nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds85.4pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)