FDG6318PZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性,非常适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该器件主要针对便携式电子设备、工业自动化、通信基础设施等领域设计,能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:24A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
总栅极电荷:37nC
输入电容:1250pF
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
FDG6318PZ 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提升系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,适用于对动态响应要求较高的应用。
3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色设计需求。
5. 小型封装选项,节省 PCB 空间,便于实现紧凑型设计。
6. 提供全面的静电放电保护功能,以确保器件在实际使用中的稳定性。
FDG6318PZ 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS),如电动车和储能设备中的电池保护电路。
3. 各种电机驱动应用,例如无人机、家用电器和工业自动化设备。
4. 电信基础设施中的负载开关和功率分配。
5. 便携式电子设备中的高效功率管理模块。
IRF6318PBF, AO6318PZ