时间：2025/7/22 15:04:37
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STB21N90K5是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件专为高功率应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：900V
最大漏极电流(Id)：21A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：0.52Ω（最大值）
栅极电荷(Qg)：65nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
STB21N90K5具有优异的导通和开关性能，适用于高效率功率转换系统。其高耐压能力使其能够在高电压环境下稳定工作。该器件采用了先进的平面条纹和工艺技术，提高了器件的可靠性和耐用性。此外，它具有良好的热管理性能，能够在高温条件下维持稳定运行。该MOSFET还具备快速恢复体二极管，适用于高频开关应用。
其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。栅极驱动设计优化，降低了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。同时，该器件符合RoHS标准，适用于环保电子产品设计。
STB21N90K5广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统中。此外，它也适用于LED照明驱动、电池管理系统和高功率负载开关电路。
STF21N90K5, STP21N90K5, STD21N90K5
