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STB21N90K5 发布时间 时间:2025/7/22 15:04:37 查看 阅读:9

STB21N90K5是一款N沟道增强型功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件专为高功率应用设计,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):900V
  最大漏极电流(Id):21A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):0.52Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):65nC
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

STB21N90K5具有优异的导通和开关性能,适用于高效率功率转换系统。其高耐压能力使其能够在高电压环境下稳定工作。该器件采用了先进的平面条纹和工艺技术,提高了器件的可靠性和耐用性。此外,它具有良好的热管理性能,能够在高温条件下维持稳定运行。该MOSFET还具备快速恢复体二极管,适用于高频开关应用。
  其低导通电阻减少了导通损耗,提高了系统效率。栅极驱动设计优化,降低了开关损耗,提高了系统的动态响应能力。同时,该器件符合RoHS标准,适用于环保电子产品设计。

应用

STB21N90K5广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统中。此外,它也适用于LED照明驱动、电池管理系统和高功率负载开关电路。

替代型号

STF21N90K5, STP21N90K5, STD21N90K5

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STB21N90K5参数

  • 其它有关文件STB21N90K5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH5™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1645pF @ 100V
  • 功率 - 最大250W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-12851-6