STB21N90K5是一款N沟道增强型功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件专为高功率应用设计,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及工业自动化设备中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):21A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):0.52Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):65nC
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C至175°C
STB21N90K5具有优异的导通和开关性能,适用于高效率功率转换系统。其高耐压能力使其能够在高电压环境下稳定工作。该器件采用了先进的平面条纹和工艺技术,提高了器件的可靠性和耐用性。此外,它具有良好的热管理性能,能够在高温条件下维持稳定运行。该MOSFET还具备快速恢复体二极管,适用于高频开关应用。
其低导通电阻减少了导通损耗,提高了系统效率。栅极驱动设计优化,降低了开关损耗,提高了系统的动态响应能力。同时,该器件符合RoHS标准,适用于环保电子产品设计。
STB21N90K5广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统中。此外,它也适用于LED照明驱动、电池管理系统和高功率负载开关电路。
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