FDD8882_NL 时间：2025/8/25 4:08:07 阅读：8

FDD8882_NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等多种应用场合。该封装形式为 DPAK（TO-252），具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：75A
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

FDD8882_NL 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（典型值 Rds(on) 为 4.5mΩ）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面 MOSFET 工艺，确保了高稳定性和一致性。
　　其次，FDD8882_NL 的最大漏极电流可达 75A，适合高电流负载的应用，如电动工具、电源供应器和汽车电子系统。其最大漏源电压为 30V，能够适应多种中低电压功率转换需求。
　　此外，该器件具有良好的热管理性能，DPAK 封装提供了较好的散热能力，确保在高功率密度环境下的稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适用于严苛的工作环境，如工业自动化和汽车电子领域。
　　最后，FDD8882_NL 具备高抗雪崩能力，能够承受瞬时过压和过流冲击，提高系统的可靠性和耐久性。其栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的 4.5V 至 20V 驱动电路，兼容多种控制芯片。

应用

FDD8882_NL 广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理系统中，它常用于同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等场景，以提高能效并减小系统体积。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于电机驱动、电控单元（ECU）以及车载充电器等模块。
　　此外，FDD8882_NL 适用于工业自动化设备，如伺服电机控制、PLC 输出模块和不间断电源（UPS）系统。由于其高电流能力和优异的热稳定性，也常被用于电池管理系统（BMS）和能量存储系统中。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于高性能笔记本电脑电源适配器、游戏机电源模块以及高功率 LED 照明驱动电路。其高可靠性和宽工作温度范围也使其成为户外设备和工业级嵌入式系统的理想选择。