时间：2025/7/1 19:50:27
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NTD25P03L 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种功率转换和开关应用。其设计目的是在高频工作条件下提供出色的性能表现，并且能够承受较高的瞬态电压。该器件广泛应用于消费电子、工业控制以及通信电源等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：8.5mΩ
总栅极电荷：14nC
输入电容：1650pF
工作结温范围：-55℃至175℃
NTD25P03L 具有低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件还具备快速开关速度，从而降低开关损耗并在高频操作中保持高效性能。
它采用了先进的工艺技术制造，确保了良好的热稳定性和可靠性。同时，TO-252 封装使其易于安装并适合表面贴装工艺。
由于其较低的 Qg 和 Ciss 参数，NTD25P03L 在驱动电路设计中可以减少复杂性，并且能有效应对高 dv/dt 环境下的噪声干扰问题。
NTD25P03L 主要用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动、负载开关、电池保护以及各类需要功率开关的应用场景。其卓越的电气特性和紧凑封装形式使得它非常适合于空间受限的设计环境。
此外，在便携式设备、计算机外设、家用电器等产品中也能找到它的身影。
NTD25P03N, IRFZ44N, FDP020N03L
