DTB123TKT146
时间:2023/2/25 16:15:10
阅读:446
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: PNP
概述
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 2.2 kOhms
封装 / 箱体: SC-59
直流电流增益 hFE 最小值: 100
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V
峰值直流集电极电流: - 500 mA
功率耗散: 200 mW
封装: Reel
电流增益带宽 fT: 200 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
安装风格: SMD/SMT
DTB123TKT146推荐供应商
更多>
- DTB123TKT146
- 深圳市科圳威电子有限公司
- 60701
- ROHM/罗姆
- 24+/TO2363SC59SOT233
-
- DTB123TKT146
- 深圳市域立航科技有限公司
- 24000
- ROHM/罗姆
- 22+/TO2363SC59SOT233
-
- DTB123TKT146
- 深圳市兴中芯科技有限公司
- 30000
- ROHM/罗姆
- 24+/TO2363SC59SOT233
-
- DTB123TKT146
- 深圳市创宝来科技有限公司
- 9800
- ROHMSEMICONDUCTOR
- 1808+/DTB123TKSeries50V
-
DTB123TKT146参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 50mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 频率 - 转换200MHz
- 功率 - 最大200mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装3-SMT
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称DTB123TKT146TR