IRFU024N是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,适用于高频开关应用和功率管理电路。其主要特点是低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能,适合在电源适配器、DC-DC转换器以及电机驱动等场景中使用。
IRFU024N具有出色的电气特性,能够有效降低系统功耗并提高效率。此外,它还具备强大的雪崩能力,能够在异常条件下保护电路免受损坏。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:85mΩ
总功耗:1.3W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
封装形式:TO-252
IRFU024N采用了先进的制造工艺,确保了其卓越的性能表现。
1. 低导通电阻:仅为85mΩ,这有助于减少导通时的能量损耗,并提升整体系统的效率。
2. 快速开关能力:具备快速的开启与关断时间,从而适应高频应用需求。
3. 高可靠性:具备较高的雪崩击穿能量,增强了器件在极端条件下的耐用性。
4. 小型化设计:TO-252封装体积小巧,便于布局紧凑的电路板设计。
5. 热稳定性强:能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,满足工业及汽车环境的要求。
IRFU024N广泛应用于各类电力电子设备中:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机控制:用于小型直流电机的驱动电路。
3. 工业自动化:如继电器驱动、电磁阀控制等领域。
4. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、LED照明驱动等。
5. 电池管理:支持锂电池充电管理和保护功能。
由于其高性能和可靠性,这款MOSFET成为许多工程师在设计高效能、小体积产品时的理想选择。
IRFZ44N
AO3400
FDP5800