FDD86113LZ 时间：2025/12/23 11:27:57 阅读：16

FDD86113LZ 是一款 N 沣道通半导体的沟道功率 MOSFET，采用 LFPAK56D 封装形式。该器件主要设计用于高效率、高频开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。它具有极低的导通电阻和优化的开关性能，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
　　FDD86113LZ 的工作电压范围较广，支持高达 30V 的漏源极电压，并且在不同栅极驱动电压下展现出优异的导通特性。其封装形式紧凑，非常适合对空间要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大漏电流：-25A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.7mΩ
　　导通电阻（最大值，Vgs=10V）：2.2mΩ
　　栅极电荷：24nC
　　输入电容：1920pF
　　反向传输电容：145pF
　　连续漏极电流（Tc=25°C）：-122A
　　连续漏极电流（Tc=100°C）：-77A
　　结温范围：-55°C 至 175°C

特性

FDD86113LZ 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，从而提高系统的整体效率。
　　2. 支持高频开关应用，具备快速开关速度和较低的栅极电荷，可有效降低开关损耗。
　　3. 高度可靠的 LFPAK56D 封装，提供卓越的热性能和电气性能。
　　4. 工作结温范围宽广，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 内置反向二极管，简化电路设计并增强功能集成性。
　　7. 在多种栅极驱动电压下表现出色，易于适配不同的控制电路需求。

应用

FDD86113LZ 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流 MOSFET。
　　2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
　　3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
　　4. 汽车电子系统中的电源管理模块和驱动电路。
　　5. 各类便携式电子设备中的高效功率转换解决方案。
　　6. 多相 VRM（电压调节模块）应用中的功率级 MOSFET。