时间：2025/8/6 3:53:56
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IXFT28N50F 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率应用。这款 MOSFET 设计用于高效能的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机控制应用。IXFT28N50F 以其高耐压、低导通电阻和良好的热性能而著称，能够在苛刻的环境条件下提供稳定可靠的性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：500V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大连续漏极电流 (Id)：28A
导通电阻 (Rds(on))：最大 0.145Ω
功率耗散 (Ptot)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFT28N50F 具有多个显著的特性，使其适用于高功率应用。首先，其高耐压能力（最大 500V）使其能够在高压系统中稳定工作。其次，该器件的导通电阻非常低，最大仅为 0.145Ω，这意味着在导通状态下，功耗较低，从而提高了系统的整体效率。此外，IXFT28N50F 的最大连续漏极电流为 28A，能够在高负载条件下提供充足的电流能力。
为了确保在高功率条件下的可靠性，IXFT28N50F 采用了高热稳定性设计，能够有效地将热量传导出去，防止过热导致的性能下降或损坏。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许设计者根据系统需求选择合适的驱动电压，从而优化开关性能。
在封装方面，IXFT28N50F 使用的是 TO-247 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适合用于需要高功率密度的应用场合。TO-247 封装也便于安装在散热片上，以进一步提高热管理能力。
IXFT28N50F 通常用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。它广泛应用于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高耐压特性，IXFT28N50F 非常适合用于 DC-DC 转换器，尤其是在需要升压或降压的应用中。此外，该器件也可用于电机控制电路中，作为电机驱动的开关元件，提供快速的开关响应和高效的能量传输。
除了这些典型应用，IXFT28N50F 还可用于逆变器设计，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，MOSFET 需要在高电压和高电流条件下长时间工作，因此其高可靠性和热稳定性显得尤为重要。此外，IXFT28N50F 的快速开关能力也使其适用于高频应用，如谐振转换器和软开关电路，从而进一步提高系统的效率和功率密度。
IXFH28N50F, IXFP28N50F
