VT1185SFQR 时间：2025/7/25 1:18:02 阅读：9

VT1185SFQR 是一款由Vishay Semiconductors（威世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高功率密度的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8双面散热封装

特性

VT1185SFQR 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其先进的沟槽式MOSFET技术使得在相同芯片面积下实现更高的电流密度，从而提升了性能。
　　此外，VT1185SFQR 采用PowerPAK SO-8双面散热封装，这种封装技术允许通过PCB的顶部和底部进行散热，提高了热性能，适用于高功率应用。该器件的高电流能力（80A）使其非常适合用于高负载环境，例如电动工具、电池管理系统、服务器电源和工业自动化设备。
　　在栅极驱动方面，VT1185SFQR 支持常见的10V驱动电压，与标准的MOSFET驱动器兼容。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的性能。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态过压情况下的可靠性。此外，其高工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定运行。

应用

VT1185SFQR 常用于高性能电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池保护电路等应用场景。其低导通电阻和高电流能力使其成为电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的理想选择，尤其是在电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）模块中。此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、服务器电源、电信基础设施设备以及高功率密度的便携式电子产品中。