类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极电流（IC）：每通道1.5A
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：16引脚DIP/SMD
　　电流增益（hFE）：1000（最小值，典型值）
　　饱和压降（VCE(sat)）：1.6V（最大值）
　　频率响应：100kHz（最大切换频率）

LSH162P 是一款专为高可靠性开关应用设计的晶体管阵列。其每个通道均为独立的NPN晶体管，具有较高的电流增益和较低的饱和压降，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。器件的集电极-发射极耐压高达80V，适用于中高压应用，如继电器、小型电机或LED显示屏的驱动电路。该器件的封装设计有助于散热管理，提高了长期运行的可靠性。
　　LSH162P 的高电流处理能力（每通道1.5A）使其适用于需要较高负载驱动能力的场合。同时，其低饱和压降特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的温度稳定性，可在宽温度范围内工作，适应工业级应用环境。
　　该晶体管阵列在设计上还具有较高的集成度，减少了外围元件的数量，简化了电路布局。LSH162P 还具有较强的抗干扰能力，适合用于电磁干扰（EMI）较严重的工业环境。

LSH162P 常用于需要高电流、高电压驱动能力的场合，如工业控制系统中的继电器驱动、直流电机控制、LED显示屏的扫描驱动电路等。由于其双通道设计和较高的集成度，LSH162P 也适用于需要多个独立开关元件的嵌入式系统和自动化设备中。此外，该器件还可用于电源管理电路、自动测试设备（ATE）以及传感器信号调理电路。

ULN2003A, LSH6408P, TIP122, ULQ2003A