时间：2025/7/10 21:17:06
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RF18N100F500CT是一款基于硅基技术的高压功率MOSFET，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提升系统效率并减少能量损耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备。其先进的工艺设计使得它在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷（典型值）：60nC
输入电容：1200pF
功耗：180W
结温范围：-55℃ to 175℃
RF18N100F500CT具备以下显著特性：
1. 高击穿电压：额定100V，适合多种高压应用场景；
2. 极低导通电阻：典型值为50mΩ，可显著降低导通损耗；
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关时间及相关的开关损耗；
4. 热稳定性强：能够在高达175℃的结温下正常运行，满足高温环境下的使用需求；
5. 可靠性高：符合工业级可靠性标准，适用于严苛的工作条件；
6. 封装形式：TO-247，提供良好的散热性能和机械强度。
RF18N100F500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器和服务器电源等；
2. DC-DC转换器：用于电动汽车充电模块和通信基站电源；
3. 电机驱动：如家用电器中的无刷直流电机控制；
4. 能量存储系统：用于电池管理系统中的充放电控制；
5. 工业自动化设备：例如伺服驱动器和逆变器。
RF18N100F400CT, RF18N100F600CT
