时间：2025/4/27 16:32:40
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FDD8445 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
其设计旨在提高效率并降低功耗，非常适合消费电子、工业控制和通信设备中的各种电力电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
栅极电荷：22nC
输入电容：1350pF
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDD8445 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保在高电流条件下具有更高的效率和更低的热损耗。
2. 快速开关性能使其适合高频开关应用，从而减小滤波元件尺寸并提高系统紧凑性。
3. 高雪崩能量能力增强了器件的坚固性和可靠性。
4. 小型封装有助于节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
FDD8445 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 消费类电子产品中的负载开关
5. 电机驱动和控制
6. 通信设备中的功率管理模块
7. 工业自动化中的继电器替代方案
FDP5500
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