FMP13N60ES 时间：2025/8/9 13:18:15 阅读：8

FMP13N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流应用。这款器件由富鼎（Alpha and Omega Semiconductor）生产，采用先进的平面工艺制造，提供优良的导通电阻和开关性能。其额定电压为600V，最大连续漏极电流为13A，非常适合用于电源转换器、电机驱动、照明镇流器以及其他功率电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：13A
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMP13N60ES具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流操作下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其次，该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，适用于高工作温度环境。此外，FMP13N60ES采用了优化的封装设计，能够有效散热，延长器件寿命。该器件还具备良好的开关性能，支持快速导通和关断，减少开关损耗。栅极驱动电压范围宽，兼容多种控制电路设计。此外，内置的体二极管可提供反向电流保护，适用于电感性负载应用。
　　该MOSFET的高雪崩能量耐受能力也增强了其在恶劣工作条件下的鲁棒性，使其适用于如电机驱动、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器和LED照明系统等要求较高的应用场合。

应用

FMP13N60ES广泛应用于各种中高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机控制、LED照明驱动、逆变器、UPS系统、家用电器（如变频空调和洗衣机）、工业自动化设备以及电动车充电系统等。其高电压能力和良好的导通特性使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）的理想选择，有助于提升整体系统效率并减少散热需求。