IPD320N20N3G 时间：2025/5/24 9:38:18 阅读：15

IPD320N20N3G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。
　　该芯片在设计时充分考虑了效率与热性能之间的平衡，使其能够在高负载条件下稳定运行。

参数

型号：IPD320N20N3G
　　类型：N沟道MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：20V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：3.2mΩ
　　IDS（连续漏极电流）：165A
　　VGS(th)（阈值电压）：2.1V
　　输入电容Ciss：1970pF
　　总栅极电荷Qg：48nC
　　最大工作结温：175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IPD320N20N3G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达 165A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
　　3. 快速开关性能，得益于其较小的总栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss，适合高频操作。
　　4. 宽泛的工作温度范围，允许器件在极端环境下可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
　　6. 封装坚固耐用，适合表面贴装或通孔安装技术。

应用

IPD320N20N3G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. 各类 DC-DC 转换器的核心功率元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级组件。
　　4. 电池管理系统（BMS）中用于充放电控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节单元。