FDD8160 时间：2025/8/24 17:17:48 阅读：8

FDD8160是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：16A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：30nC
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

FDD8160的主要特性包括：
　　? 低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　? 高额定电流能力使其适合高功率应用，如电源转换器和马达驱动器。
　　? 快速切换能力可减少开关损耗，提高电路的响应速度。
　　? 增强型设计确保器件在关闭状态下漏电流极小，有助于提高系统稳定性。
　　? 耐高温能力允许在恶劣环境中工作，适用于工业和汽车电子系统。
　　? 封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。