时间：2025/12/23 22:37:52
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FDD6680A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN33-8 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能应用场合。其耐压能力达到 60V，适合在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中作为开关或负载驱动元件。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12.5A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极阈值电压：1.2V~2.5V
总功耗：24W
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：PDFN33-8
FDD6680A 的主要特性包括低导通电阻，能够有效降低功率损耗；同时具备快速开关能力，从而减少开关损耗。该器件还拥有出色的热性能，能够在较高温度下稳定运行，非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
此外，它具有较小的封装尺寸，便于 PCB 布局设计，同时支持表面贴装技术（SMT），有助于提高生产自动化水平。其高雪崩能力和稳健的短路耐受能力也进一步增强了器件的可靠性。
FDD6680A 广泛应用于直流电机驱动、电源管理模块、负载切换电路、LED 驱动器等领域。在汽车电子领域，它可以用于车身控制模块（BCM）、燃油泵驱动及空调系统等关键部位。在工业控制方面，适合用作工厂自动化设备中的开关元件。此外，在消费类电子产品中，也可以作为高效开关或保护电路的一部分。
FDS6680A, FDN6680A
