TF120N03B 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特性,适合高频开关应用。其封装形式为 TO-220,便于散热处理,同时支持大电流操作。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:120A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
TF120N03B 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))使其在高电流应用场景中能够显著降低功耗。
2. 快速的开关速度允许其在高频电路中高效运行。
3. 高额定电流(120A)确保了器件在重载条件下的可靠性。
4. 良好的热性能设计使得该 MOSFET 即使在高温环境下也能保持稳定的工作状态。
5. 兼容多种驱动电压,简化了电路设计过程。
6. 采用标准 TO-220 封装,易于安装和散热管理。
TF120N03B 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 负载开关,在电池供电设备中实现高效的功率管理。
4. 逆变器系统,作为功率级元件。
5. 保护电路,例如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制模块。
IRFZ44N
STP120N03L
FDP120N03L