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SMQA2000T1G 发布时间 时间:2025/5/28 12:07:43 查看 阅读:6

SMQA2000T1G 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的高功率 MOSFET,采用 TO-263 封装。该器件主要设计用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。其出色的电气性能和可靠性使其成为工业和消费电子领域的热门选择。
  SMQA2000T1G 的核心特点在于其低导通电阻(Rds(on)),这可以有效降低功耗并提高系统效率。此外,它还具有较高的漏源电压(Vds)和连续漏极电流(Id)能力,从而能够胜任高电压和大电流的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  Vds(漏源电压):200 V
  Rds(on)(导通电阻):45 mΩ
  Id(连续漏极电流):8.7 A
  Vgs(th)(阈值电压):2.1 V
  f(工作频率):高达 500 kHz
  最大结温:175 ℃
  功耗:19.5 W

特性

SMQA2000T1G 提供了多种优异的性能表现,使其在同类产品中脱颖而出。首先,其低 Rds(on) 值可以显著减少导通时的损耗,这对于提升效率至关重要。其次,其较高的 Vds 和 Id 参数保证了其在高压和大电流环境下的稳定性。此外,SMQA2000T1G 还具备快速开关速度和较低的栅极电荷(Qg),从而减少了开关损耗。
  从热管理的角度来看,该器件的最大结温可达 175 ℃,这为高温环境下的应用提供了保障。同时,其封装形式 TO-263 提供了良好的散热性能,并且易于安装在印刷电路板上。
  最后,由于采用了先进的制造工艺,SMQA2000T1G 在可靠性方面也表现出色,能够满足长时间运行的需求。

应用

SMQA2000T1G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动
  4. 工业自动化设备
  5. 消费类电子产品中的电源管理
  6. LED 驱动器
  7. 电池管理系统(BMS)
  这些应用场景都需要高效的功率转换和稳定的电流控制,而 SMQA2000T1G 凭借其优异的电气性能正好符合这些需求。

替代型号

IRF540N
  STP200NF7
  FQP18N20C

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SMQA2000T1G参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)-
  • 电压 - 击穿-
  • 功率(瓦特)-
  • 电极标记-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳-
  • 供应商设备封装-
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称SMQA2000T1GOSCT