类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：1.5 A
　　最大总耗散功率（PD）：50 W（TC=25°C）
　　直流电流增益（hFE）：140 至 400（典型值，IC = 150mA）
　　过渡频率（fT）：150 MHz
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.3 V（典型值，IC = 150mA, IB = 15mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

2SD1963 T100R具备出色的电气特性和可靠性，是中功率模拟与数字电路中的理想选择。其高击穿电压（VCEO=100V）使其能够安全应用于高达百伏级别的电源系统中，例如离线式开关电源的初级侧驱动或DC-DC转换器中的功率开关。器件的直流电流增益（hFE）范围为140至400，在IC=150mA的工作点下表现稳定，且“T100R”后缀表明其增益经过分级筛选，适用于需要一致放大性能的设计，避免因增益离散性导致的电路调试困难。
　　该晶体管具有150MHz的过渡频率（fT），意味着它不仅适用于直流和低频开关操作，也能胜任高频信号放大任务，如在射频前端或高速脉冲电路中使用。这一频率特性使得2SD1963可用于宽带放大器设计，尤其是在需要一定功率输出的小信号放大阶段。
　　热性能方面，TO-220封装提供了较大的金属背板，便于安装散热器，从而有效将内部产生的热量传导至外部环境。在良好散热条件下，该器件可长期承受接近50W的功耗，显著提升了其在持续高负载运行下的耐用性。同时，较低的集电极-发射极饱和电压（典型0.3V）减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别有利于电池供电或节能型系统设计。
　　此外，2SD1963遵循工业级温度规范，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适应严苛的环境条件，包括高温工业现场或低温户外设备。其制造工艺符合AEC-Q101等可靠性标准的可能性较高，虽然主要定位并非汽车级产品，但在许多工业和消费类应用中仍具备高度的稳定性与寿命保障。综合来看，该器件在性能、成本与可用性之间取得了良好平衡，是工程师在中功率晶体管选型中的常用型号之一。

2SD1963 T100R广泛应用于多种电力电子与信号处理电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的驱动级或小型主开关元件，特别是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑中作为晶体管-变压器接口器件；也可用于DC-DC升压或降压转换器中实现高效的能量切换。由于其具备较高的电流驱动能力和良好的频率响应，该晶体管常被用作继电器、电磁阀或小型电机的驱动开关，通过微控制器输出信号控制较大负载的通断，实现强弱电隔离与自动化控制。
　　在音频设备领域，2SD1963可用于前置放大器或末级功率放大电路中，尤其是在低至中等输出功率的音响系统或公共广播设备中担任电压/电流放大角色。其线性度良好、失真较低的特性有助于提升音质表现。此外，该器件还可用于脉冲宽度调制（PWM）控制系统中，例如灯光调光、温度调节或伺服机构控制，凭借快速的开关响应能力精确调节平均输出功率。
　　其他应用场景还包括充电器电路、逆变器模块、电子镇流器以及各类工业控制板卡中的接口驱动电路。由于其封装标准化程度高，易于替换和维修，因此在售后维护和原型开发中也广受欢迎。无论是实验室测试还是批量生产，2SD1963 T100R都因其稳定供货和成熟的技术支持而成为许多设计师的首选器件之一。

2SC5337
　　2SD1856
　　MJ15031
　　TIP41C
　　BDW83C