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FDD6035AL 发布时间 时间:2025/7/10 7:30:19 查看 阅读:16

FDD6035AL是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换、电机驱动和开关电源等应用。该器件采用TO-264封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
  其设计特点在于优化了开关性能和热稳定性,使其在高频和大功率应用场景中表现优异。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:47nC
  输入电容:1980pF
  总功耗:135W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

FDD6035AL是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 较高的电流承载能力,能够支持大功率应用。
  3. 优化的开关性能,可降低开关损耗。
  4. 高度可靠的封装设计,具备良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件下的使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

FDD6035AL广泛应用于多种领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的功率控制。
  4. 大功率LED驱动器中的开关元件。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  6. 充电器和适配器中的功率转换元件。

替代型号

FDD6035P, FDP5802, IRFZ44N

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FDD6035AL参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流46 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.012 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252AA
  • 封装Reel
  • 下降时间12 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.3 W
  • 上升时间7 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间29 ns
  • 零件号别名FDD6035AL_NL