容量：256K x 16
　　组织结构：256K地址，每个地址16位宽
　　电源电压：5V
　　访问时间：最大为35ns
　　封装类型：100引脚塑料扁平封装（FBGA）
　　工作温度范围：商业级（0°C至70°C）或工业级（-40°C至85°C）
　　接口类型：异步
　　读写控制信号：包含CE#（片选）、OE#（输出使能）、WE#（写使能）

P4C164L-35FMB SRAM芯片具有多个关键特性，使其适用于高性能嵌入式系统和实时数据处理应用。
　　首先，它的高速访问时间为35ns，这使得它能够在高频系统时钟下提供可靠的数据存取性能。此外，该芯片具备较低的待机电流，在未进行读写操作时能够有效降低功耗，适合对能耗有要求的应用场景。
　　其次，该器件支持异步操作模式，允许与多种微处理器和控制器无缝连接。控制信号如CE#、OE#和WE#提供了标准的逻辑控制接口，方便在复杂的数字电路中集成。
　　另外，P4C164L-35FMB采用先进的CMOS工艺制造，提高了抗噪能力和稳定性，同时确保了兼容TTL和CMOS电平输入，增强了与其他逻辑电路的互操作性。
　　最后，该芯片采用100引脚FBGA封装，体积小巧且适合高密度PCB布局，有助于缩小整体系统的尺寸并提高可靠性。

P4C164L-35FMB因其高速度和低功耗的特性，广泛应用于各种高性能电子系统中。常见用途包括：
　　作为高速缓存存储器用于网络交换机和路由器中的数据缓冲；
　　用于图像处理系统或视频采集卡的帧缓存存储器；
　　在工业自动化控制系统中作为临时数据存储单元；
　　用于测试设备和测量仪器中以实现快速数据采集和处理；
　　作为微控制器或DSP系统中的外部存储扩展，提升CY7C164B-35VC
　　IDT71V164S35PFGI
　　AS7C164A-35BINF