时间：2025/5/8 11:12:39
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FDD16AN08A0 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场合。
该 MOSFET 的额定电压为 80V，适合中低压环境下的高效能需求。其封装形式通常为行业标准封装，便于设计集成与散热管理。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：1470pF
总功耗：230W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FDD16AN08A0 提供了极低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高效率。它还具备快速的开关性能，能够适应高频开关应用的需求。此外，该器件的高雪崩能量能力和坚固的设计确保了在恶劣条件下也能可靠运行。
其主要特性包括：
- 超低导通电阻，减少系统发热
- 快速开关能力，支持高频操作
- 高可靠性及强抗干扰能力
- 热稳定性优异，可承受极端温度范围
- 符合 RoHS 标准，绿色环保
该功率 MOSFET 广泛应用于各类电力转换和控制场景，具体包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电动工具驱动电路
- 电机控制
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率管理
- LED 驱动电路
FDP16N80,
FDMC8800,
IRF840
