时间：2025/5/22 13:46:48
阅读：3
BTS650P 是英飞凌（Infineon）推出的一款基于沟槽栅极 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-263 封装形式，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场合。它适用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。BTS650P 的设计结合了低导通损耗与快速开关性能，能够满足现代电力电子系统对高效能的需求。
BTS650P 在额定电压为 60V 的条件下工作，并具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这使其成为高效功率转换的理想选择。此外，其出色的热特性和可靠性也使其适合于工业及消费类电子产品中的多种应用场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：47A
最大脉冲漏极电流：118A
导通电阻 Rds(on)：3.6mΩ
栅极电荷 Qg：19nC
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷 Qg，有助于降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达 47A 的连续漏极电流。
4. 良好的热性能，具备高结温承受能力，适合高温环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保要求。
6. 提供强大的雪崩能力和 ESD 保护，增强器件的鲁棒性。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理
5. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器
6. 照明系统的电子镇流器与 LED 驱动
BTS618P, IRFZ44N, FDP55N06L
