类型：双串联肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　正向压降（VF）：最大680mV（在IF=150mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在VR=40V时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值为4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装：PMDE（SOD-123FL）
　　引脚数量：2
　　极性配置：双串联（Common Cathode）

MB508PF具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是采用了肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的接触形成势垒，从而实现较低的正向导通电压。相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具有极短的反向恢复时间（trr），通常仅为几纳秒，这对于高频开关电路至关重要。在实际应用中，如DC-DC升压或降压转换器中，快速的开关响应能够显著降低开关损耗，提升整体电源效率。此外，低正向压降意味着在导通状态下功耗更小，尤其在大电流或长时间运行的场景下，有助于减少发热，延长设备寿命。
　　该器件采用PMDE超小型表面贴装封装，尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，非常适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的产品中。尽管体积小巧，但其热性能经过优化设计，能够在有限的空间内有效散热。MB508PF还具备较强的环境适应能力，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，满足工业级和消费级产品的严苛要求。同时，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣条件下仍能保持可靠运行，适合部分汽车电子应用。
　　另一个关键特性是其双串联共阴极配置，允许两个肖特基二极管共享同一个阴极端子，便于构建多路整流或输出隔离电路。例如，在同步整流拓扑或多通道电源管理IC中，这种结构可以简化布线、减少元件数量，进而提高系统集成度。此外，MB508PF具有较低的寄生电容和电感，进一步增强了其在高频环境下的表现。制造商ROHM提供了完整的数据手册和技术支持，包括SPICE模型、热阻参数和焊接建议，便于工程师进行仿真和设计验证。总体而言，MB508PF是一款集高性能、小型化和高可靠性于一体的现代肖特基二极管，适用于多种先进的电子系统设计需求。

MB508PF广泛应用于各类需要高效整流和低功耗特性的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器，如手机、平板电脑和智能手表的电源管理系统，用于提升电池续航能力和充电效率。在AC-DC适配器和USB充电模块中，该器件可用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管以降低能量损耗。此外，它也常见于LED驱动电路中，作为防倒灌二极管使用，防止电流反向流动损坏敏感元件。在通信设备中，如路由器、交换机和光模块，MB508PF可用于电源轨隔离和瞬态抑制电路，确保信号完整性和供电稳定性。其高频响应特性使其成为射频（RF）电源和低噪声电源路径的理想选择。在汽车电子领域，尽管额定电压不高，但仍可用于车载信息娱乐系统的低压电源部分或传感器供电电路。此外，工业控制设备、IoT节点、无线充电接收端以及各种嵌入式系统也都可受益于其小型封装和高效性能。由于其符合绿色环保标准且具备高可靠性，MB508PF适用于对安全性和长期稳定性有要求的批量生产产品。

RB520S-40T1G
　　NSR0530HT1G
　　BAS40-04W