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GA1206A1R2DXABC31G 发布时间 时间:2025/6/30 19:46:30 查看 阅读:4

GA1206A1R2DXABC31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
  该型号通常用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.4mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关时间:ton=17ns, toff=29ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1206A1R2DXABC31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (2.4mΩ),能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关性能,适用于高频电路设计。
  3. 高雪崩能量能力,确保器件在异常条件下也能稳定运行。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得 GA1206A1R2DXABC31G 成为一种理想的功率开关解决方案,尤其在对效率和散热性能要求较高的场合。

应用

GA1206A1R2DXABC31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的逆变器和控制器。
  3. 各种负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 消费类电子产品的充电器和适配器。
  由于其出色的性能,这款 MOSFET 在需要高效功率转换和精确控制的应用中非常受欢迎。

替代型号

IRFZ44N
  STP15NF06L
  FDP150N06S

GA1206A1R2DXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-