时间：2025/7/11 13:24:01
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LVSL16180Z100是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道技术设计。该器件主要应用于需要高效能开关的场景中，如电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。其封装形式为SOIC-8，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，从而实现高效的电能转换和较低的功耗。
该MOSFET在开关电源（SMPS）、DC/DC转换器以及电池保护电路等领域有着广泛的应用前景。由于其出色的电气特性和热性能，LVSL16180Z100能够在高频率工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：25nC
输入电容：1240pF
总电容：360pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
LVSL16180Z100具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用场景。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 紧凑型SOIC-8封装，便于PCB布局与安装。
5. 宽工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
这些特性使得LVSL16180Z100成为工业控制、消费电子及汽车电子领域的理想选择。
LVSL16180Z100适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC/DC转换器中的同步整流或高频开关元件。
3. 电池管理系统中的负载切换开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各类保护电路，例如过流保护、短路保护等。
凭借其优异的电气性能和可靠性，这款器件可满足不同行业对高效能功率转换的需求。
LVSL16180Z150
LVSL16180Z200
IRLZ44N
FDP5800
