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SBAS16HT1G 发布时间 时间:2025/4/24 16:07:02 查看 阅读:11

SBAS16HT1G 是一款由德州仪器(TI)生产的高精度、低噪声的运算放大器。该芯片以其卓越的性能,适用于需要高精度信号处理的应用场景。其设计结合了低输入偏置电流和低输入电压噪声的特点,能够在宽温度范围内提供稳定的工作特性。
  SBAS16HT1G 采用先进的BiCMOS工艺制造,具有非常低的输入失调电压以及出色的共模抑制比(CMRR)。这些特点使其成为精密仪表放大器、传感器信号调理电路以及数据采集系统等应用的理想选择。

参数

供电电压:±2.25V 至 ±18V
  带宽:8MHz
  输入偏置电流:2pA(典型值)
  输入电压噪声:1nV/√Hz(典型值)
  共模抑制比:120dB(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8, VSSOP-8

特性

1. 极低的输入偏置电流,适合高阻抗源应用。
  2. 高精度和低噪声设计,确保信号保真度。
  3. 宽电源电压范围,兼容多种电源配置。
  4. 出色的共模抑制比和电源抑制比,能够减少干扰影响。
  5. 稳定性好,适应工业级宽温环境。
  6. 小型封装选项,便于PCB布局设计。

应用

1. 精密仪表放大器
  2. 传感器信号调理
  3. 数据采集系统
  4. 医疗设备中的信号放大
  5. 工业自动化控制
  6. 测试与测量设备
  7. 通信系统的前置放大器

替代型号

OPA1632, OPA211, AD8628

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SBAS16HT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)6ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)