时间：2025/8/9 19:43:12
阅读：28
2SK2522-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和负载开关。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高速开关特性，适合用于便携式电子设备、通信设备和工业控制系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：4.5A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：160mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
2SK2522-01MR具有多项优异的电气和物理特性，能够满足多种高要求的功率应用需求。首先，其采用先进的沟槽式MOSFET结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其典型RDS(on)值为160mΩ，在VGS为10V时可提供良好的导通性能。
其次，该器件的漏极电流额定值为4.5A，漏极-源极电压额定值为30V，使其适用于中等功率的开关电路。栅极-源极电压为±20V，具备较强的栅极驱动能力，同时增强了抗过压能力。
此外，2SK2522-01MR采用SOT-23小型表面贴装封装，具有良好的散热性能和空间利用率，非常适合高密度PCB设计。其功率耗散为2W，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C），适用于严苛的工业环境。
该MOSFET还具备快速开关特性，降低开关损耗，提高系统效率。因此，它广泛用于DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器和电源管理系统中。
2SK2522-01MR广泛应用于多个电子系统领域。首先，在DC-DC转换器中，该器件的低导通电阻和高速开关特性有助于提高转换效率，减少发热，适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理电路。
其次，在电源管理应用中，2SK2522-01MR可作为负载开关使用，用于控制电源路径、电池充电和系统电源切换，适用于电池供电设备和工业控制系统。
此外，该MOSFET也适用于马达驱动电路、LED驱动器以及通信设备中的功率开关应用。其SOT-23封装形式便于自动化生产和PCB布局，适合批量制造和高密度电路设计。
由于其优异的性能和紧凑的封装形式，2SK2522-01MR在消费电子、工业控制、通信设备等领域均有广泛应用。
2SK3018, 2SK2623, 2SK2523, Si2302DS, IRML2803
