FDD1600N10ALZ是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件属于P沟道增强型MOSFET,适用于高电压、大电流的开关应用。它采用TO-247封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
该器件设计用于工业电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=-10V)
栅极-源极电压:±20V
功耗:100W
结温范围:-55℃至175℃
FDD1600N10ALZ具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,适合要求苛刻的工业应用。
3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
4. 优秀的热稳定性,允许在较高温度范围内工作。
5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
FDD1600N10ALZ广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC和DC/DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
5. 各种类型的负载切换和保护电路。
6. 高效电池充电器和UPS(不间断电源)系统。
FDD16N10,
FDP16N10,
IRF1610,
STP160N10,
IXTH16N10