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FDD1600N10ALZ 发布时间 时间:2025/5/28 18:20:11 查看 阅读:12

FDD1600N10ALZ是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件属于P沟道增强型MOSFET,适用于高电压、大电流的开关应用。它采用TO-247封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
  该器件设计用于工业电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=-10V)
  栅极-源极电压:±20V
  功耗:100W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

FDD1600N10ALZ具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合要求苛刻的工业应用。
  3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
  4. 优秀的热稳定性,允许在较高温度范围内工作。
  5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

FDD1600N10ALZ广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC和DC/DC转换器。
  2. 电机驱动和控制电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
  5. 各种类型的负载切换和保护电路。
  6. 高效电池充电器和UPS(不间断电源)系统。

替代型号

FDD16N10,
  FDP16N10,
  IRF1610,
  STP160N10,
  IXTH16N10

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FDD1600N10ALZ参数

  • 现有数量7,839现货
  • 价格1 : ¥8.19000剪切带(CT)2,500 : ¥3.46142卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 3.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.61 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)225 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)14.9W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63