CS4N10AE-1 时间：2025/8/1 16:42:36 阅读：19

CS4N10AE-1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高电流应用而设计，具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及出色的热性能。CS4N10AE-1 常用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动以及电池管理系统等场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：260A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：320W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

CS4N10AE-1 以其低导通电阻而著称，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统响应速度。
　　其高电流容量和热稳定性确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业设备和电源管理系统。
　　CS4N10AE-1 的 TO-247AC 封装形式具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，进一步提升其热管理能力。
　　此外，该 MOSFET 还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，增强器件的耐用性和系统的稳定性。

应用

CS4N10AE-1 广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：
　　? 高效开关电源（SMPS）
　　? 电动车辆和混合动力车辆的功率转换系统
　　? 工业电机驱动器和变频器
　　? 太阳能逆变器和储能系统
　　? 服务器电源和电信设备电源模块
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电源管理集成电路（PMIC）中的功率级组件
　　该器件的高可靠性和高效能特性使其成为高功率密度设计的理想选择。