FDC8555是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能双通道N沟道功率MOSFET器件,广泛用于电源管理、负载开关、电机控制和电源转换等应用。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术,提供低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合在高效率和高密度电源系统中使用。FDC8555采用小型化的5引脚DFN封装,具有良好的热性能和空间节省优势。
类型:N沟道MOSFET(双通道)
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8.5A(每个通道)
导通电阻(Rds(on)):12mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on)):16mΩ @ Vgs=2.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:5引脚DFN(5.0mm x 6.0mm)
FDC8555具有多个关键特性,使其适用于各种高性能电源应用。其低导通电阻显著降低了导通损耗,提高了系统效率。双通道设计允许在同一个封装内集成两个独立的MOSFET,节省了PCB空间并简化了电路布局。此外,该器件具有良好的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定工作。FDC8555的栅极驱动电压范围较宽,支持2.5V至4.5V的逻辑电平控制,适用于现代低电压微控制器和电源管理IC的直接驱动。此外,其封装设计优化了散热性能,确保在高电流应用中保持较低的温升。
该器件还具备较高的耐用性和可靠性,能够承受瞬态过载和高温环境下的长期运行。FDC8555的快速开关特性也有助于减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外,其低电容设计有助于提高开关速度并降低驱动损耗,进一步提升整体系统性能。
FDC8555适用于多种电源管理与功率控制应用,包括但不限于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、服务器和电信电源系统、以及汽车电子中的功率控制模块。由于其双通道结构和高集成度,该器件也常用于需要并联操作或双向功率流动控制的应用中。
Si7461DP, FDC8550, FDC8558, NVTFS5C471NL, BSC080N03LS