时间：2025/8/24 9:08:32
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FDC8555是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能双通道N沟道功率MOSFET器件，广泛用于电源管理、负载开关、电机控制和电源转换等应用。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合在高效率和高密度电源系统中使用。FDC8555采用小型化的5引脚DFN封装，具有良好的热性能和空间节省优势。
类型：N沟道MOSFET（双通道）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8.5A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：5引脚DFN（5.0mm x 6.0mm）
FDC8555具有多个关键特性，使其适用于各种高性能电源应用。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。双通道设计允许在同一个封装内集成两个独立的MOSFET，节省了PCB空间并简化了电路布局。此外，该器件具有良好的热管理能力，能够在高负载条件下保持稳定工作。FDC8555的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V的逻辑电平控制，适用于现代低电压微控制器和电源管理IC的直接驱动。此外，其封装设计优化了散热性能，确保在高电流应用中保持较低的温升。
该器件还具备较高的耐用性和可靠性，能够承受瞬态过载和高温环境下的长期运行。FDC8555的快速开关特性也有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。此外，其低电容设计有助于提高开关速度并降低驱动损耗，进一步提升整体系统性能。
FDC8555适用于多种电源管理与功率控制应用，包括但不限于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、服务器和电信电源系统、以及汽车电子中的功率控制模块。由于其双通道结构和高集成度，该器件也常用于需要并联操作或双向功率流动控制的应用中。
Si7461DP, FDC8550, FDC8558, NVTFS5C471NL, BSC080N03LS
