类型：HBM（High Bandwidth Memory）
　　容量：4GB
　　带宽：1TB/s
　　接口：HBM2
　　电压：1.3V
　　封装：3D TSV 堆叠
　　针脚数：1024
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　制造工艺：约21nm

H9CCNNN4GTMLAR-NKM 是 HBM2 标准内存芯片的典型代表，具备以下关键特性：
　　首先，该芯片采用了先进的 3D TSV（硅通孔）技术，使得内存模块能够在垂直方向上进行堆叠，从而大幅提高存储密度和带宽。相比传统的 GDDR5 或 DDR4 内存，HBM2 提供了更高的带宽效率和更低的功耗。
　　其次，H9CCNNN4GTMLAR-NKM 的标准带宽高达 1TB/s，这使得它非常适合用于图形处理器（GPU）、人工智能加速器（如深度学习芯片）和高性能计算（HPC）设备。其高速数据传输能力能够显著提升系统整体性能。
　　该芯片的容量为 4GB，并支持 HBM2 接口协议，具备良好的兼容性和扩展性。通过将多个 HBM2 芯片堆叠在同一个基板上，系统设计者可以构建更大容量的内存系统。
　　此外，H9CCNNN4GTMLAR-NKM 的工作电压为 1.3V，相较传统内存产品功耗更低，有助于提升设备的能效。其封装形式为 1024 针脚的 BGA 封装，适用于与 GPU 或 FPGA 等高性能芯片共同封装在同一个基板上，从而缩短信号传输路径，提高系统稳定性。
　　最后，该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级和嵌入式应用环境，具有良好的热稳定性和可靠性。

H9CCNNN4GTMLAR-NKM 主要用于需要高带宽和低功耗内存的高性能计算设备。典型应用包括高端图形显卡（如 NVIDIA 和 AMD 的 GPU）、人工智能加速卡（如用于深度学习的推理和训练卡）、高性能计算服务器、数据中心加速器以及高端 FPGA 开发平台。该芯片的 3D TSV 技术使其在图形渲染、并行计算、大规模数据处理等方面表现出色，是现代高性能计算平台的理想内存解决方案。

H9CCNNN8GMMLAR-NUM, H9CCNNN8GTMLAR-NUM, H5ANM8NJ2GMEB4K