类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极连续电流（ID）：7A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FDC7N60具有多项优良特性，首先其600V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用环境，能够承受较高的瞬态电压冲击，确保电路的稳定性与可靠性。其次，该器件的导通电阻RDS(on)最大为1.1Ω，这在同类器件中属于较低水平，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，FDC7N60的栅极驱动电压范围宽广，可在±30V范围内工作，适应多种驱动电路设计。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-252封装提供了良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。FDC7N60还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在电路异常或负载突变时保护器件不被损坏。其封装形式便于安装，适用于表面贴装技术（SMT），适合大规模自动化生产。
　　从电气特性来看，FDC7N60的栅极电荷Qg较低，使得开关速度更快，开关损耗更小，适用于高频开关电源和DC-DC转换器的设计。同时，其反向恢复特性较好，能够减少在同步整流等应用中的损耗，提高系统效率。

FDC7N60广泛应用于多个电力电子领域，包括但不限于：
　　1. **开关电源（SMPS）**：如适配器、充电器、服务器电源等，用于高效能电源转换。
　　2. **DC-DC转换器**：适用于升压、降压或隔离型转换电路，提升能量转换效率。
　　3. **电机驱动和控制**：用于电动工具、工业自动化设备、家用电器中的电机控制电路。
　　4. **负载开关**：在电源管理系统中用于控制负载的通断，实现节能与安全保护。
　　5. **逆变器和UPS系统**：用于不间断电源和太阳能逆变器等高可靠性系统中。
　　由于其优异的性能和封装形式，FDC7N60在设计中可以作为主开关器件或同步整流器件使用，适用于对效率和可靠性有较高要求的应用。

FDPF7N60、IRF7N60B、STF7NM60N、FQP7N60C