时间：2025/5/22 10:07:52
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FDC655BN-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件采用SO-8封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。
FDC655BN-NL的低导通电阻（Rds(on)）能够有效减少传导损耗，从而提高效率。同时，其小尺寸封装使其非常适合于需要紧凑设计的应用场景。此外，该器件还具有良好的热稳定性和抗静电能力（ESD性能）。
最大漏源电压：30V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：19A
脉冲漏极电流：47A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：26nC（典型值）
输入电容：1340pF（典型值）
总功耗：1.5W
工作结温范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达19A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 小型SO-8封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 优秀的热性能和可靠性，适合长时间运行的工业及消费类应用。
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 工业设备中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理解决方案。
FDS6552N, FDMQ8205, IRF7832TRPBF
