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GA1206Y222MBCBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 17:00:58 查看 阅读:5

GA1206Y222MBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET,通常用于 DC-DC 转换器、LED 驱动以及电池管理系统等场景。其封装形式和电气性能经过优化设计,能够满足工业级和消费级电子产品的多样化需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:2.2mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:纳秒级
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y222MBCBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关性能,支持高频应用,从而减小外部元件尺寸。
  3. 具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的电气性能。
  4. 内置静电保护电路,提高了器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装和自动化生产。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
  4. 工业设备中的功率转换和逆变电路。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
  6. 高电流 LED 照明驱动电路。
  由于其卓越的性能和可靠性,GA1206Y222MBCBT31G 成为许多工程师在设计高效率功率转换电路时的首选。

替代型号

IRFP2907, FDP057N06L, STP45NF06L

GA1206Y222MBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-