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MB504L 发布时间 时间:2025/9/23 11:49:22 查看 阅读:13

MB504L是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,广泛应用于高频开关电源、整流电路和极性保护等场合。该器件封装在SOD-123W小型化封装中,具有低正向压降、快速反向恢复时间和高效率的特点,非常适合空间受限且对能效要求较高的便携式电子设备和电源管理系统。MB504L的结构设计使其能够在较低的工作电压下实现高效的电流导通,同时减少功耗和热损耗,提高系统整体可靠性。其主要功能是将交流电转换为直流电或防止反向电流流动,在DC-DC转换器、AC适配器、电池充电器以及各类消费类电子产品中发挥关键作用。此外,由于其优异的热稳定性和浪涌电流承受能力,MB504L也适用于需要短暂承受较大瞬态电流的应用场景。该器件符合RoHS环保标准,并通过了多项国际认证,确保在工业级温度范围内稳定运行。

参数

类型:双共阴极肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大正向平均整流电流(IO):500mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):8A
  最大正向电压(VF):500mV @ 250mA, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 40V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123W
  极性配置:共阴极
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

MB504L的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而显著降低正向导通电压。在典型工作条件下,其正向压降仅为500mV左右,远低于普通硅二极管的0.7V~1.0V水平,这不仅提高了能量转换效率,还减少了发热问题,特别适合用于低压大电流输出的电源系统中。
  其次,MB504L具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间(trr),这意味着它在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗,也不会引起电压尖峰或电磁干扰(EMI)问题,因此非常适合用于开关模式电源(SMPS)、同步整流替代以及高频逆变器等对响应速度要求高的电路。
  第三,该器件采用了双共阴极结构,即两个肖特基二极管共享一个阴极端子,这样的设计便于构建双路整流电路或用于全波整流拓扑,简化PCB布局并节省空间。此外,SOD-123W封装具有较小的体积和良好的散热性能,能够在紧凑型电子产品如智能手机、平板电脑、USB充电模块中实现高密度集成。
  第四,MB504L具有出色的热稳定性与可靠性,在-65°C至+125°C的宽结温范围内均可正常工作,适应严苛的环境条件。同时,其高达8A的峰值浪涌电流能力使其能够承受开机瞬间的大电流冲击,增强了系统的鲁棒性。
  最后,该器件符合无铅(Pb-free)和RoHS指令要求,支持绿色环保制造工艺,并经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环试验,确保长期使用的稳定性与一致性。

应用

MB504L广泛应用于多种电子设备中的电源管理与信号处理电路。在便携式消费类电子产品中,例如智能手机、蓝牙耳机、智能手表和移动电源等,常被用作充电输入端的防反接保护二极管或DC-DC升/降压变换器中的续流二极管,以提升能效并防止电池反向放电。
  在AC-DC适配器和墙插式电源模块中,MB504L可用于次级侧的高频整流环节,特别是在低成本、小功率开关电源设计中,凭借其低正向压降和快速响应特性,有效提升了整机效率并降低了温升。
  此外,在电池管理系统(BMS)或多节电池供电设备中,该器件可作为电池组之间的隔离二极管,防止不同支路间的环流现象,保障系统安全运行。
  工业控制领域中,MB504L也常见于传感器供电回路、PLC输入接口和继电器驱动电路中,用于抑制反电动势、提供反向电流阻断功能,保护敏感逻辑电路不受损坏。
  在LED照明驱动电源中,它可以作为辅助电源的整流元件,确保恒流源前端获得稳定的直流电压。另外,由于其表面贴装封装形式,非常适用于自动化贴片生产线,满足现代电子产品大规模生产的需求,尤其适合追求小型化、轻量化和高可靠性的应用场景。

替代型号

MBR5040L
  SB540
  SS54
  BAT54C

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